Сетевой электронный научный журнал "СИСТЕМОТЕХНИКА", № 8, 2010 г.

Повышение показателей качества назначения субгармонического смесителя радиосигналов за счет применения резонансно-туннельного диода

 

Иванов Ю.А., Мешков С.А., Попов В.В., Федоренко И.А., Федоркова Н.В.

 

(МГТУ им. Н.Э. Баумана, кафедра «Технологии приборостроения»)

 

Проведен сравнительный анализ работы субгармонического смесителя (СГС) радиосигналов на базе резонансно-туннельного диода (РТД) и на базе диода с барьером Шоттки (ДБШ). Рассчитаны зависимости потерь преобразования СГС на РТД и ДБШ от мощности гетеродина. Показаны режимы работы СГС, позволяющие получить повышение показателей качества смесителя на базе РТД по сравнению со смесителем на базе ДБШ: повышение мощности гетеродина на один диод и динамического диапазона по уровню компрессии, уменьшение интермодуляционных искажений сигнала и повышение значения IP3.

 

Введение

В настоящее время большинство радиоприемных устройств систем телекоммуникаций, вещания и радиолокации строятся по схемам с преобразованием частоты радиосигнала, которое осуществляется с помощью смесителя.. Одним из показателей качества радиоприемников является отсутствие интермодуляционных и нелинейных искажений в широком диапазоне изменения мощности входного сигнала [1, 2]. Характеристики смесителя, часто являющегося входным каскадом, существенно влияют на показатели качества всего радиоприемника [1-3]. В диапазоне СВЧ смесители строятся на базе диодов с барьером Шоттки. Вольтамперная характеристика этих диодов описывается экспоненциальным законом [1, 2]. В качестве нелинейного элемента преобразователей возможно применение РТД с формами ВАХ, отличными от экспоненты. Форму ВАХ РТД можно изменять в широком диапазоне путем изменения толщин и химического состава наноразмерных слоев гетероструктуры диода [4, 5]. Более пологая, чем у ДБШ, ВАХ РТД позволяет уменьшить амплитуды составляющих спектра высших порядков в выходном сигнале смесителя, тем самым уменьшив интермодуляционные искажения сигнала.

Антисимметричная ВАХ РТД позволяет разрабатывать смесители, работающие на четных гармониках гетеродина. Применение РТД позволяет использовать в качестве нелинейного элемента СГС только один полупроводниковый прибор вместо пары встречно-параллельных ДБШ, что исключает необходимость подбора пары диодов с идентичными параметрами [4-8].

Ниже проведен сравнительный анализ работы субгармонического смесителя (СГС) на базе диодов двух различных типов: РТД с различными формами ВАХ и ДБШ. Теоретический анализ проведен на основе упрощенной теории смесителей [1, 9]. Применение этой теории не позволяет вычислить точные значения основных параметров СГС (потери преобразования, точка компрессии, IP3), однако дает возможность провести сравнительный анализ работы СГС на базе РТД и ДБШ.

 

1. Теоретический анализ работы СГС на базе диодов с различными формами ВАХ.

 

В настоящее время параметры смесителей на базе ДБШ с экспоненциальной ВАХ рассчитывают с помощью САПР, использующих метод гармонического баланса (Agilent ADS, Microwave Office (MWO), и др) [10]. Недостатком данного метода является нестабильная сходимость к решению, резко ухудшающаяся при расчете схем с нелинейными элементами (НЭ), ВАХ которых отличны от экспоненты. В работах [6, 7] расчет параметров СГС на РТД проводился с помощью MWO. В качестве модели РТД были применены НЭ с кусочно-линейной ВАХ [6] (совпадающей с ВАХ РТД при температуре 0 К) для расчета потерь преобразования и с экспоненциальной ВАХ для расчета IP3 [7]. Полученные в этих работах результаты обсуждаются ниже. Форма ВАХ РТД в диапазоне температур 60…100°С более пологая, чем экспоненциальная [11], но пакет MWO не позволяет задать реальную форму ВАХ РТД.

В данной работе применен метод теоретического анализа однодиодного смесителя радиосигналов на основе упрощенной теории преобразователей частоты [9], поскольку применение строгой теории смесителей [1, 2] трудоемко и требует знания всех параметров эквивалентной схемы НЭ. Нами метод адаптирован для исследования параметров смесителя на второй гармонике частоты гетеродина, идеализированная схема которого показана на рис. 1. При разработке алгоритма расчета приняты упрощающие предположения: допущение о гармонической форме напряжения на НЭ, отсутствие у него нелинейной емкости, учитываются только составляющие спектра низших порядков (в выражении для комбинационных частот смесителя mfc+nfг, m,n=0, ±1, ±2… сумма |m|+|n|≤3), короткое замыкание НЭ на всех гармониках гетеродина, кроме второй. Алгоритм расчета параметров смесителей с помощью метода [9] был реализован нами в программной среде MathCAD.

На рис. 1 введены обозначения: Ic, Uс – ток и напряжение на частоте сигнала, Iпч – ток на промежуточной частоте, Uг – напряжение гетеродина, Gист – выходная проводимость источника сигнала, Gн – проводимость нагрузки.

Рис. 1. Идеализированная схема смесителя.

 

Будем считать, что на выходных зажимах смесителя присутствует только напряжение промежуточной частоты, а на входных зажимах – только напряжение на частоте сигнала, то есть UвыхUпч, UвхUс, что обеспечивается индуктивностью Lпч и емкостью С. Примем, что цепь подачи напряжения гетеродина полностью развязана с цепями сигнала и ПЧ, то есть все напряжение гетеродина падает только на нелинейном элементе смесителя. НЭ смесителя (РТД либо пара встречно-параллельных ДБШ) находится под воздействием гармонического напряжения гетеродина, обеспечивающего периодическое изменение проводимости НЭ. Так как НЭ обладает антисимметричной ВАХ, период изменения проводимости будет в два раза меньше периода напряжения гетеродина, что обусловливает возможность смешивания на второй гармонике частоты гетеродина с подавлением нечетных гармоник.

Зададим ВАХ нелинейного элемента в виде:

,                                                                                                             (1)

где {a} – вектор параметров, характеризующий ВАХ НЭ.

Для расчета параметров смесителя на базе ДБШ воспользуемся моделью нелинейного сопротивления барьера Шоттки [1, 2] во встречно-параллельном включении:

,                                                                            (2)

где а1 = I0 – ток насыщения диода, для ДБШ на базе Si I0=10-8, а2 – подвижность электронов, задаваемая выражением:

,                                                                                                          (3)

где q – заряд электрона, k – постоянная Больцмана, Т – температура, NU = 1…1,4 – «фактор идеальности» диода.

Рассмотрим НЭ смесителя под воздействием напряжений гетеродина и сигнала:

                                                       (4)

где Uг и wг – амплитуда и частота напряжения гетеродина, Uс и wс – амплитуда и частота сигнала

При Uc<<Uг ток в нагрузке можно представить в виде суммы отдельных составляющих, обусловленных действием входного сигнала на нелинейный элемент с периодически меняющейся под воздействием напряжения гетеродина проводимостью.

Зависимость тока через диод от времени задается выражением:

,                                                                                                 (5)

где f(Uвх(t),{a}) – аналитически заданная дифференцируемая функция.

Ток через нелинейный элемент можно представить в виде разложения в ряд Тейлора по степеням uc(t):

                   (6)

В связи с малым значением Uc рассматриваем только два первых члена ряда. Так как первый член не несет информации о сигнале, полезный ток через НЭ представляется в виде:

                                            (7)

где

                                                                          (8)

Так как проводимость G(t,Uг{a}) является периодической функцией, ее можно разложить в тригонометрический ряд Фурье. Коэффициенты Фурье проводимости НЭ (далее – гармоники проводимости НЭ) являются функциями параметров ВАХ нелинейного элемента, а также напряжения гетеродина: Gn=Gn(Uг,{a}). Подставим гармоники проводимости НЭ в выражение (2):

                                     (9)

Примем за промежуточную частоту составляющую (гс), соответствующую преобразованию с понижением частоты. Система уравнений для токов и напряжений в смесителе с учетом прямого преобразования частоты сигнала в промежуточную частоту и обратного преобразования промежуточной частоты в частоту сигнала:

                                                                                                 (10)

Из системы уравнений (10) можно найти входную и выходную проводимости смесителя:

                                                                                                   (11)

,                                                                                              (12)

где Gн – проводимость нагрузки, Gист – внутренняя проводимость источника сигнала.

В выражениях (11, 12) входная и выходная проводимости смесителя определяются соотношением величин G0 и G2, которые зависят от напряжения гетеродина и формы ВАХ НЭ. Максимальная мощность сигнала будет выделяться на НЭ смесителя, если входная проводимость смесителя Gвх равна внутренней проводимости источника сигнала Gист:

                                                                         (13)

Для согласования входного сопротивления смесителя с внутренним сопротивлением источника сигнала при различных формах ВАХ НЭ можно управлять входной и выходной проводимостями смесителя путем изменения напряжения гетеродина. С другой стороны, для каждого значения мощности гетеродина можно подобрать форму ВАХ РТД, обеспечивающую согласование входа смесителя с источником сигнала.

Найдем коэффициент передачи напряжения смесителя, решая систему уравнений (10):

                                                                                            (14)

Для определения коэффициента передачи мощности смесителя нужно вычислить входную Pвх и выходную Pвых мощности:

,                                                                               (15)

Тогда коэффициент передачи мощности при согласованном входе смесителя:

                                                                                    (16)

Так как коэффициенты Gn являются функцией напряжения гетеродина Uг и параметров ВАХ нелинейного элемента, потери преобразования также будут функциями этих аргументов:

                          (17)

Для исследования влияния параметров гетероструктуры РТД (толщина и химический состав слоев) на параметры СГС необходима математическая модель ВАХ РТД, основанная на параметрах гетероструктуры. На рис. 2 показана типичная ВАХ РТД. Для смесителей радиосигналов рабочий участок ВАХ должен находиться между падающими участками с отрицательным дифференциальным сопротивлением, что необходимо для исключения паразитной генерации. Отметим, что существует возможность получения РТД без падающего участка ВАХ [7].

 

Рис. 2. Вольтамперная характеристика РТД

 

На рис. 3 показана энергетическая диаграмма гетероструктуры РТД на основе GaAs/AlxGa1-xAs, x=0,3…1.

 

Рис. 3. Энергетическая диаграмма гетероструктуры РТД. 1 – контактные области, 2 – спейсеры, 3 – потенциальные барьеры, 4 – потенциальная яма.

 

Для описания начального участка ВАХ РТД была разработана математическая модель [11], основанная на параметрах зонной энергетической структуры РТД (рис. 3):

                                                                         (18)

Параметр β, характеризующий вероятность прохождения электрона е- через контактные области гетероструктуры, определяется подвижностью электронов и зависит от температуры и параметров материала. При комнатной температуре для GaAs/AlGaAs β≈30 эВ-1. Параметр I0 – ток насыщения диода. Значение I0 определяется соотношением толщины слоя потенциальной ямы и высоты барьеров. В гетероструктурах с потенциальными барьерами из AlAs при толщине слоя ямы от 3 до 10 нм GaAs плотность тока насыщения диода находится в диапазоне от I0≈106 А/см2 до 102 А/см2. Параметр α=exp(–βEB) зависит от эффективной высоты барьера
EB=
E0-EF, где E0 – энергия разрешенного уровня в потенциальной яме, EF – уровень Ферми в контактных областях. Изменение концентрации Si в контактных областях от 1×1018 до 1×1019 при содержании Al в слоях барьеров x = 0,4 … 1 соответствует изменению EB от 0 до 0.65 эВ. Параметр γ определяется симметричностью гетероструктуры относительно слоя ямы. Для СГС интерес представляет РТД с антисимметричной ВАХ (γ =0,5). Величина U – напряжение на РТД.

Для расчетов параметров СГС на базе AlGaAs РТД по формулам (11, 12, 17) можно записать выражение (18) в виде:

                                             (19)

На рис. 4 показаны рассматриваемые в работе формы начального участка ВАХ РТД.

 

Рис. 4. Вольтамперные характеристики РТД ЕВ=0.2 (1), 0.4 (2), 0.8 (3)

 

С учетом выражений (1) и (19) выражение (13) для РТД примет вид Gсогл(Uг,I0,EB)=Gист. Для ДБШ напряжение гетеродина, необходимое для согласования сопротивления НЭ, будет зависеть от материала (Si, GaAs) и от идеальности перехода Шоттки: Gсогл(Uг,I0,Nu)=Gист.

На рис. 5 приведены зависимости входного сопротивления смесителя от мощности гетеродина для РТД при различных значениях параметра ЕВ и для ДБШ, полученные из (11) с учетом (2, 19) при сопротивлении нагрузки Rн=1/Gн=50 Ом.

 

Рис. 5. Зависимости входного сопротивления Rвх СГС от мощности гетеродина Pг для РТД с ЕВ=0.2 (1), 0.4 (2), 0.8 (3) и ДБШ (4)

 

 

 
Одним из основных параметров, определяющи[ динамический диапазон обрабатываемых смесителем радиосигналов и стойкость к блокированию мощной помехой, является уровень 1 дБ компрессии, приведенный к входу смесителя (Р-1). Известно, что компрессия сигнала наблюдается при мощности сигнала в пределах 0,1…0,5 от мощности гетеродина [1]. Следовательно, для увеличения динамического диапазона по уровню компрессии нужно увеличивать мощность гетеродина, подаваемую на смеситель.

Применяя РТД с различным значением параметра ЕВ, можно разработать СГС, работающие как при пониженной мощности гетеродина (Рг ≈ 0,5 мВт при ЕВ=0,1 эВ), так и при повышенной – (Рг ≈ 30 мВт при ЕВ=0,65 эВ). Полученные в работе [6] значения мощности гетеродина, необходимые для работы РТД, значительно меньше (Pг=0.1…1 мВт). Это можно объяснить принятой в работе [6] кусочно-линейной аппроксимацией ВАХ РТД. Мощность гетеродина, при которой работают выпускаемые в настоящее время ДБШ, лежит в пределах 2…6 мВт [12].

В настоящее время разработано множество балансных схем, основанных на соединении диодов кольцом или звездой [2]. Применение двойных и тройных балансных схем позволяет увеличить мощность гетеродина в смесителях на базе ДБШ до 100 мВт и более [5]. Также для увеличения мощности гетеродина применяется последовательное либо параллельное соединение нескольких диодов [13]. Применение РТД позволит увеличивать мощность гетеродина для однодиодных и простых балансных смесителей, являющихся типичными решениями в диапазонах СВЧ и КВЧ [2]. Также применение простых схемотехнических решений диодных смесителей исключает необходимость подбора нескольких диодов с идентичными характеристиками и повышает надежность смесителя.

В работе [6] получена зависимость оптимальной мощности гетеродина от значения Vпор, значения напряжения на диоде, при котором при котором происходит излом кусочно-линейной идеализированной ВАХ.. При этом не указаны значения потерь преобразования СГС на базе РТД с каждым из возможных значений Vпор. На рис. 6 приведены полученные нами зависимости потерь преобразования от мощности гетеродина для РТД при различных значениях параметра ЕВ и ДБШ с Nu=1,2. ВАХ РТД соответствует выражению (19), а ВАХ ДБШ – выражению (2). Расчет потерь преобразования проводился с помощью соотношения (17).

 

 

 

 

Рис. 6. Зависимости потерь преобразования смесителя от мощности гетеродина для РТД с ЕВ=0.2 (1), 0.4 (2), 0.8 (3) и ДБШ (4).

 

Потери преобразования смесителя на базе РТД с ЕВ<0,3 эВ больше на 1..3 дБ, чем у смесителя на базе ДБШ. С увеличением эффективной высоты барьера РТД ЕВ>0,4 эВ потери преобразования смесителя уменьшаются до величины, соответствующей смесителю на базе ДБШ. Таким образом, наиболее эффективным представляется использование РТД в смесителях, работающих при увеличенной мощности гетеродина, что необходимо также для увеличения динамического диапазона обрабатываемых смесителем радиосигналов.

Отметим, что принятые нами упрощающие предположения для анализа работы смесителя не позволяют точно описать зависимости Gn от мощности гетеродина, и, следовательно, вычислить коэффициенты передачи смесителя для составляющих спектра выходного сигнала с порядками больше 3. Для точного определения амплитуд составляющих выходного спектра СГС и зависимостей этих амплитуд от режимов работы смесителя нужно применение строгой теории преобразователей частоты [1, 2], либо проведение экспериментальных исследований. Ниже проведено экспериментальное исследование влияния формы ВАХ НЭ на спектр выходного сигнала СГС.

 

2. Экспериментальное исследование параметров СГС

С увеличением частоты выше 1 ГГц начинают проявляться паразитные конструктивные параметры диодов (емкость корпуса, индуктивность выводов). Для того, чтобы исследовать высшие гармоники гетеродина и сигнала необходимо, чтобы паразитные емкости и индуктивности не оказывали значительного влияния на частотах, соответствующих 8…12 гармоникам частоты гетеродина. Поэтому частоты сигнала и гетеродина в смесителе, разработанном для исследования, выбраны в диапазоне 50…100 МГц.

Для экспериментальных исследований был разработан макет смесителя для диапазона ~100 МГц, в котором можно не учитывать влияние реактивных составляющих эквивалентной схемы диодов. Макет состоит из кольцевого сумматора мощности на дискретных элементах, индуктивности и конденсатора для разделения контуров сигнала и ПЧ. Частота гетеродина во всех экспериментах составляла 55 МГц, частоты сигналов f1=106.5 МГц и f2=107 МГц, промежуточные частоты – 3 и 3.5 МГц. Для определения точки пересечения третьего порядка использовались составляющие 2f1-f2=106 МГц и 2f2-f1=107.5 МГц. Номиналы разделительных конденсатора и индуктивности (рис. 1) были выбраны исходя из значений их сопротивлений на частотах сигнала, гетеродина и ПЧ и составляли 68 пФ и 100 мкГн соответственно.

Разработанная конструкция макета смесителя со сменными диодами (рис.7) позволяет проводить исследование различных диодов в одинаковых условиях по следующим параметрам: потери преобразования, уровень компрессии, точка пересечения третьего порядка (IP3).

 

Рис. 7. Смеситель ОВЧ диапазона со сменными диодами

 

Для экспериментального исследования параметров смесителей были выбраны следующие нелинейные элементы: пара ДБШ (встречно-параллельное включение), РТД1 с значением параметра EB=0.4 (ВАХ, близкая к кубической) и РТД2 с ЕВ=0.6 (ВАХ описывается полиномом 7-й степени). Измеренные вольтамперные характеристики диодов показаны на рис. 8.

 

Рис. 8. Измеренные вольтамперные характеристики РТД1 (1), РТД2 (2) и ДБШ (3)

 

Были измерены зависимости потерь преобразования и значения IP3 от мощности гетеродина для трех различных нелинейных элементов. Все экспериментальные зависимости приведены с учетом потерь в сумматорах. Экспериментальные зависимости потерь преобразования от мощности гетеродина приведены на рис. 9.

 

Рис. 9. Экспериментальные зависимости потерь преобразования от мощности гетеродина для РТД1 (1), РТД2 (2) и ДБШ (3).

 

Мощность гетеродина, необходимая для обеспечения минимума потерь преобразования для РТД2 не была достигнута в связи с ограничением мощности генератора. Характер экспериментальных зависимостей потерь преобразования от мощности гетеродина повторяет характер теоретических зависимостей (рис. 6). Различие между теоретическими и экспериментальными значениями потерь преобразования связано с принятыми упрощающими предположениями теоретического расчета. Также на значения выходных параметров экспериментального макета смесителя влияет неидеальность характеристик фильтров, обеспечивающих разделение контуров сигнала и ПЧ. В целом, теоретические зависимости потерь преобразования от мощности гетеродина (рис. 6) согласуются с результатами эксперимента.

Для сравнения интермодуляционных искажений сигнала в смесителях на базе РТД и ДБШ были измерены зависимости точки пересечения третьего порядка по входу (IP3вх) от мощности гетеродина. Ранее было показано, что амплитуды составляющих спектра выходного сигнала смесителя на РТД немонотонно зависят от мощности гетеродина, следовательно, для сравнения IP3 смесителей на базе РТД и ДБШ нужно исследование зависимости IP3 от мощности гетеродина. На рис. 10 показаны экспериментальные зависимости IP3вх от мощности гетеродина для СГС на базе РТД и ДБШ.

 

Рис. 10. Экспериментальные зависимости значения IP3вх от мощности гетеродина для РТД1 (1), РТД2 (2) и ДБШ (3).

 

Значение IP3вх смесителя на базе ДБШ монотонно растет с увеличением мощности гетеродина, тогда как этот же параметр смесителя на базе РТД имеет несколько локальных максимумов, что позволяет изменять интермодуляционные параметры путем управления мощностью гетеродина в небольших пределах. Применение РТД позволяет увеличить значение IP3 на 10…12 дБ по сравнению с ДБШ при одинаковой мощности гетеродина.

В работе [7] был проведен расчет IP3 СГС на базе РТД в зависимости от величины Vпор (аналог параметра ЕВ в данной работе). При этом не были исследованы зависимости IP3 от мощности гетеродина для каждой формы ВАХ РТД. Полученные в [7] рассчитанные значения IP3 для СГС на РТД на 25…40 дБ хуже, чем для ДБШ. Это противоречит полученним нами результатам. Противоречие можно объяснить принятым в [7] способом аппроксимации ВАХ РТД с помощью экспоненциальной зависимости. Кроме того, мощность гетеродина, при которой рассчитаны значения IP3 СГС на РТД (Pг=-10…-2 дБм), значительно меньше, чем при расчете IP3 СГС на ДБШ (Рг=3…7 дБм).

Выше было показано (рис. 6), что оптимальная с точки зрения минимума потерь преобразования мощность гетеродина для СГС на РТД может достигать 30 мВт. Это открывает перспективу для разработки смесителей на РТД с высоким уровнем IP3 без применения схем с двойной и тройной балансировкой.

 

 

Выводы.

1. Применение РТД в смесителе радиосигналов позволяет повысить следующие показатели качества: уровень компрессии входного сигнала и уровень инетрмодуляционных искажений. СГС на РТД выигрывают у СГС на ДБШ по значению IP3 при одной и той же мощности гетеродина в диапазоне 0.5…30 мВт/диод, при этом значение точки компрессии не ухудшается, но потери преобразования увеличиваются на 1…2 дБ.

2. Как известно, для увеличения значения точки компрессии нужно увеличивать мощность гетеродина. Технологически достижимые параметры гетероструктур позволяют разрабатывать РТД, работающие с мощностью гетеродина 0,5…30 мВт/диод, и смесители на их основе, работающие при повышенной мощности гетеродина, без применения сложных схем с двойной и тройной балансировкой.

3. Применение РТД в смесителе позволяет изменять значение IP3 путем управления мощностью гетеродина. Экспериментально получено увеличение значения IP3 смесителя на базе РТД на 15 дБ по сравнению со смесителем на ДБШ при увеличении потерь преобразования на величину не более 2 дБ.

 

 

Литература.

1. Розанов Б.А., Розанов С.Б., Приемники Миллиметровых волн. М.: Радио и связь, 1989, 169 с.

2. Maas S.A., Microwave Mixers. Boston, Artech House, 1993, 396 p.

3. Белов Л.А. Преобразователи частоты. Современные ВЧ-компоненты. М.: Электроника: наука, технологии, бизнес. 2004, №2, с. 44-50.

4. Георгиевский А.М., Громов Д.В., Дудинов К.В. и др. Исследование направлений применения резонансно-туннельного диода в интегральных схемах СВЧ диапазона.  Микроэлектроника – 1996. - Т.25, N4. с. 249-258.

5. Иванов Ю.А., Малышев К.В., Федоркова Н.В. Формирование ВАХ AlGaAs нанодиодов //СВЧ техника и телекоммуникационные технологии.: Тез. докл. 14 Междунар. Крымская конф. – Севастополь, 2004.– C.532–534.

6. Алкеев Н.В. Расчет параметров субгармонического смесителя на резонансно-туннельном диоде. М.: Радиотехника и электроника, 2003, т. 48, № 4 с. 508-512.

7. Алкеев Н.В. Анализ шумовых и динамических свойств субгармонического смесителя на резонансно-туннельном диоде. М.: Радиотехника и электроника, 2004, том 49, №104, с. 1258-1263.

8. Малышев К.В., Иванов Ю.А., Перунов Ю.М., Федоркова Н.В. Гармониковый смеситель СВЧ диапазона на РТД. Тезисы доклада 8 Междунар. Крымская конф.: “СВЧ техника и телекоммуникационные технологии”. - Севастополь, (Украина), 1998 - Т.2.

9. Румянцев К.Е. Радиоприемные устройства. М.: Академия, 2006 – 336 с.

10. MWOffice. Applied Wave Research Inc., http://www.mwoffice.com

11 Малышев. К.В. Разработка технологического метода повышения эксплуатационных показателей нелинейных преобразователей спектра радиосигналов путём применения AlGaAs гетероструктур : Дис. ... канд.техн.наук. – М. : МГТУ им.Н.Э.Баумана, 2004. - 183 с.

12. Полупроводниковые приборы. Сверхвысокочастотные диоды. Справочник. под ред. Наливайко Б.А. –Томск: МГП «Раско», 1992 – 223 с.

13 – Рэд Э.Т. Схемотехника радиоприемников. М.: Мир, 1989, 180 с.

 

Сетевой электронный научный журнал "СИСТЕМОТЕХНИКА", № 8, 2010 г.